Компания Micron 1 февраля представила высокоскоростную флеш-память NAND. Скорость чтения у новой памяти составляет 200 мегабайт в секунду, а скорость записи - до 100 мегабайт в секунду.
У обычной NAND-памяти скорость чтения ограничена 40 мегабайтами в секунду, а скорость записи составляет менее 20 мегабайт в секунду.
Новая память создана по 55-нанометровому технологическому процессу и выдерживает до 100 тысяч циклов чтения/записи. Представленные образцы могут хранить до 8 гигабит данных.
Ожидается, что производители начнут массовое производство высокоскоростной памяти во второй половине 2008 года.
Все опубликованные на сайте материалы защищены Законом РФ "Об авторском праве и смежных правах". Ничто из опубликованных на сайте материалов, ни в какой форме не может быть использовано без письменного разрешения автора.
